[发明专利]氧化硅玻璃坩埚的评价方法、单晶硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280063279.7 申请日: 2012-10-31
公开(公告)号: CN104145051B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: 须藤俊明;佐藤忠广;北原贤;北原江梨子;小玉真喜子 申请(专利权)人: 株式会社SUMCO
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C03B20/00;G01B11/24
代理公司: 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 代理人: 李伟波;管莹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序:通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动,在移动路径上的多个测量点,从内部测距部对所述坩埚的内表面斜方向照射激光,并检测来自所述内表面的内表面反射光,来测量内部测距部与所述内表面之间的内表面距离,通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联,来求出所述坩埚的内表面三维形状。
搜索关键词: 氧化 玻璃 坩埚 评价 方法 单晶硅 制造
【主权项】:
1.一种氧化硅玻璃坩埚三维形状的测量方法,所述氧化硅玻璃坩埚具备圆筒形的侧壁部、弯曲的底部、以及连接所述侧壁部与所述底部且比所述底部曲率大的角部,在内表面侧具有透明氧化硅玻璃层,在外表面侧具有含有气泡的氧化硅玻璃层,所述方法包括以下工序:使内部测距部非接触地沿着所述氧化硅玻璃坩埚的内表面移动,在移动路径上的多个测量点,通过从所述内部测距部对所述坩埚的所述内表面倾斜方向照射激光,并检测来自所述内表面的内表面反射光和来自所述透明氧化硅玻璃层与所述含有气泡的氧化硅玻璃层的界面的界面反射光,以能够观察到两个峰值的方式改变所述激光的射出方向或者所述内部测距部与所述内表面之间的距离,根据所述两个峰值中的所述内表面侧的峰值的位置来测量所述内部测距部与所述内表面之间的内表面距离,根据所述两个峰值中的所述外表面侧的峰值的位置来测量所述内部测距部与所述界面之间的界面距离,通过将各测量点的三维坐标与所述内表面距离建立关联,求出所述坩埚的内表面三维形状,通过将各测量点的三维坐标与所述界面距离建立关联,来求出所述坩埚的界面三维形状;使外部测距部沿着所述坩埚的外表面移动,在移动路径上的多个测量点,通过从外部测距部对所述坩埚的外表面照射激光,并检测来自所述外表面的外表面反射光,来测量所述外部测距部与所述外表面之间的外表面距离,通过将各测量点的三维坐标与所述外表面距离建立关联,来求出所述坩埚的外表面三维形状;以及根据从所述内表面三维形状和所述外表面三维形状决定的所述坩埚的形状是否为公差范围内的壁厚最小的坩埚形状与公差范围内的壁厚最大的坩埚形状之间的形状,来进行坩埚的评价。
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