[发明专利]通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触有效

专利信息
申请号: 201280063330.4 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN104170058B 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯 申请(专利权)人: 阿科恩科技公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 代理人: 徐金国,吴启超
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层,或插入各自由单层形成的双层,或插入多个所述双层,减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极,所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等),及/或应用为场效应晶体管(field effect transistor;FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层,所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
搜索关键词: 通过 插入 界面 原子 单层 改进 iv 半导体 金属 接触
【主权项】:
一种电接触,所述电接触包含金属和IV族半导体,所述金属和所述IV族半导体由下列其中一者分隔:(i)V族原子单层;或(ii)一或多个双层,每个双层由一个V族原子单层和一个III族原子单层构成,在所述金属与所述IV族半导体之间的界面处,所述V族原子单层的原子或每个V族与III族原子双层的原子分别与所述IV族半导体的晶格结构成外延对齐。
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