[发明专利]通过插入界面原子单层改进与IV族半导体的金属接触有效
申请号: | 201280063330.4 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN104170058B | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯 | 申请(专利权)人: | 阿科恩科技公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,吴启超 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层,或插入各自由单层形成的双层,或插入多个所述双层,减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极,所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等),及/或应用为场效应晶体管(field effect transistor;FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层,所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。 | ||
搜索关键词: | 通过 插入 界面 原子 单层 改进 iv 半导体 金属 接触 | ||
【主权项】:
一种电接触,所述电接触包含金属和IV族半导体,所述金属和所述IV族半导体由下列其中一者分隔:(i)V族原子单层;或(ii)一或多个双层,每个双层由一个V族原子单层和一个III族原子单层构成,在所述金属与所述IV族半导体之间的界面处,所述V族原子单层的原子或每个V族与III族原子双层的原子分别与所述IV族半导体的晶格结构成外延对齐。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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