[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201280063587.X | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN104011872A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 林真宇 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本公开的一种太阳能电池包括：背电极层；以及，在所述背电极层上的光吸收层，其中，所述光吸收层包括未掺杂区和在所述未掺杂区上的掺杂区，并且所述掺杂区包括锌。根据本公开的一种制造太阳能电池的方法包括：在基板上形成背电极层；在所述背电极层上形成初步光吸收层；在所述初步光吸收层上形成掺杂剂供应层；并且，扩散所述掺杂剂供应层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，包括：背电极层；以及，在所述背电极层上的光吸收层，其中，所述光吸收层包括未掺杂区和在所述未掺杂区上的掺杂区，其中，所述掺杂区包括锌。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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