[发明专利]制造单晶硅的方法

摘要

提供了制造单晶硅的方法，其能够在采用由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法生长单晶硅时减少单晶硅的位错的产生。解决问题的手段制造单晶硅的方法涉及采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚8中的原料熔体7提拉多根单晶硅1的多重提拉法制造单晶硅1的方法，该方法包括在磁场中生长单晶硅1的步骤，其中将在大直径的坩埚8的内壁上形成的钡的添加量控制在特定的范围内。

主权项

采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法制造单晶硅的方法，该方法包括以下步骤：在所述坩埚中制备所述原料熔体，其中坩埚的直径为24英寸、32英寸或40英寸，及在坩埚的内壁上形成含钡层，所述钡的量在坩埚的直径为24英寸的情况下为2.2×1014个原子·cm‑2，在坩埚的直径为32英寸的情况下为5.4×1013个原子·cm‑2以上且2.2×1014个原子·cm‑2以下，或者在坩埚的直径为40英寸的情况下为1.1×1013个原子·cm‑2以上且5.4×1013个原子·cm‑2以下；由所述原料熔体提拉单晶硅；在提拉单晶硅之后额外地将多晶材料投入留下的所述原料熔体中，及使多晶材料熔化进入所述原料熔体中，同时继续加热所述原料熔体；及由具有额外地投入及熔化在其中的所述多晶材料的所述原料熔体提拉下一单晶硅，其中将所述额外地投入及熔化多晶材料的步骤及所述提拉下一单晶硅的步骤重复一次或多次，及在所述提拉单晶硅的步骤及重复一次或多次的所述提拉下一单晶硅的步骤中的至少一个步骤中，在磁场中生长所述单晶硅。