[发明专利]用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统无效
申请号: | 201280064081.0 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN104011259A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | R·T·小贝尔特拉姆 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | C23C16/30 | 分类号: | C23C16/30;C23C16/44;C30B25/02;C30B25/08;C30B29/40 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径,而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。 | ||
搜索关键词: | 用于 减少 半导体 系统 相关 反应 中的 需淀积物 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的方法,所述方法包括:通过使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径来加热清洁气体;将所述清洁气体通过工艺气体注入器引入所述反应室;以及通过使所述清洁气体与所述非所需淀积物的部分反应以生成至少一种反应产物并将所述至少一种反应产物从所述反应室排出,从所述反应室内移除所述非所需淀积物的至少一部分。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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