[发明专利]用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统无效

专利信息
申请号: 201280064081.0 申请日: 2012-11-12
公开(公告)号: CN104011259A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: R·T·小贝尔特拉姆 申请(专利权)人: SOITEC公司
主分类号: C23C16/30 分类号: C23C16/30;C23C16/44;C30B25/02;C30B25/08;C30B29/40
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径,而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。
搜索关键词: 用于 减少 半导体 系统 相关 反应 中的 需淀积物 工艺
【主权项】:
一种用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的方法,所述方法包括:通过使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径来加热清洁气体;将所述清洁气体通过工艺气体注入器引入所述反应室;以及通过使所述清洁气体与所述非所需淀积物的部分反应以生成至少一种反应产物并将所述至少一种反应产物从所述反应室排出,从所述反应室内移除所述非所需淀积物的至少一部分。
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