[发明专利]使用梯度线圈来校正MR成像中的高阶B0场不均匀性有效
| 申请号： | 201280064093.3 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104011557A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | C·L·G·哈姆 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/385 | 分类号： | G01R33/385;G01R33/3875 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种校正MR设备的检查体积中的高阶B0磁场不均匀性的方法。根据本发明，通过多个梯度线圈(4)中的至少一个的两个或两个以上的线圈段(X1，X2)的电流通过如下的方式被独立地控制：使得主磁场B0的高阶场不均匀性由至少一个梯度线圈(4)的磁场来补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 梯度 线圈 校正 mr 成像 中的 sub 不均匀 | ||
【主权项】：
一种用于校正MR设备(1)的检查体积中的几乎均匀的主磁场B0的磁场不均匀性的方法，其中，通过多个梯度线圈(4，5，6)中的至少一个的两个或两个以上的线圈段(X1，X2)的电流通过如下的方式被控制：使得所述主磁场B0的高阶场不均匀性由被叠加到所述主磁场B0上的至少一个梯度线圈的磁场来补偿。
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