[发明专利]具有合并鳍和垂直硅化物的FINFET

摘要

提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。

主权项

一种制造finFET器件的方法，所述方法包括：在掩埋氧化物(BOX)层之上形成多个鳍结构，每一个所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸；在所述BOX层上形成栅极叠层，所述栅极叠层形成在所述鳍结构之上并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极；在所述栅极叠层的垂直侧壁上形成栅极间隔物；在所述鳍结构之上沉积外延硅(外延)层，所述外延层将所述鳍结构合并在一起；注入离子以在所述鳍结构的所述半导体层中形成源极区和漏极区；在所述栅极间隔物的垂直侧壁上形成伪间隔物；使用所述伪间隔物作为掩膜来使所述外延层的暴露部分凹陷或者将所述外延层的暴露部分完全去除；以及进行硅化以形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的所述垂直侧壁上的垂直部分。