[发明专利]制造陶瓷基质复合材料的方法和由此形成的陶瓷基质复合材料在审

专利信息
申请号: 201280064845.6 申请日: 2012-12-07
公开(公告)号: CN104010992A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: G.H.科比;J.D.斯泰贝尔;N.D.戈斯 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C04B35/573 分类号: C04B35/573;B32B18/00;F02C7/00;C04B35/64;F01D25/00;C04B35/58;C04B35/591;C04B35/628;C04B35/80
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐晶;林森
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及制造含硅CMC制品的方法。所述方法需要在碳化硅(SiC)纤维上沉积一个或多个涂层,牵拉所述涂布的SiC纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料,且随后加工所述涂有浆料的SiC纤维材料以形成单向预浸渍带。将所述带堆叠且随后烧制以产生多孔预成型件。随后所述多孔预成型件通过浸渗其中的孔隙而进一步致密化,从而产生CMC制品。浸渗可通过一系列聚合物浸渗和热解(PIP)步骤、通过在用碳或一种或多种难熔金属填充在所述预成型件中的孔隙之后而熔体浸渗(MI)、通过化学气相浸渗(CVI)或通过这些浸渗技术的组合来实现。
搜索关键词: 制造 陶瓷 基质 复合材料 方法 由此 形成
【主权项】:
 制造含硅CMC制品的方法,所述方法包括:在碳化硅纤维上沉积一个或多个涂层;牵拉所述涂布的碳化硅纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料;由所述涂有浆料的纤维材料制造单向预浸渍带;堆叠所述带以形成预成型件;烧制所述预成型件以产生多孔的烧制预成型件;且随后通过浸渗其中的孔隙以使所述多孔的烧制预成型件致密化以产生CMC制品。
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