[发明专利]衬底处理装置及使用该装置的衬底处理方法无效
申请号: | 201280065144.4 | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN104160480A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 吉田秀成;国井泰夫;西谷英辅;平野光浩;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324;H01L31/04 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提高衬底的加热效率而谋求衬底的升温时间的缩短。衬底处理装置包括:由筒状的反应管(100)和密封盖(110)气密地构成的处理室(30);设于反应管(100)周围的作为加热器的炉体加热部(200);配置在处理室(30)内,且收纳多个玻璃衬底(20)的晶片盒(410);设于反应管(100)内部的被封闭的一侧部的电动风扇(500);以及圆筒形的整流板(430),其在处理室(30)内将在晶片盒(410)上竖立配置的多个玻璃衬底(20)中的配置在最外部位置的玻璃衬底(20)的表面覆盖,且控制成使得朝向电动风扇(500)的扇叶部(510)的气流(Q)沿着反应管(100)的内周面(100a)流动。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 使用 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理装置,其特征在于,包括:反应管,其形成为筒状,且在内部对多个衬底进行成膜处理;气体供给管,其向所述反应管的内部导入用于所述成膜处理的处理气体;排气管,其将所述反应管内部的环境气体排出;加热部,其加热所述反应管;风扇,其使所述反应管内部的环境气体沿着所述衬底的表面强制对流;和整流板,其沿着由所述强制对流产生的所述衬底的表面上的所述处理气体的流动方向延伸,且将所述多个衬底中的配置在最外部位置的所述衬底的表面覆盖,以使在所述多个衬底的外侧,朝向所述风扇流动的所述处理气体沿着所述反应管的内周面流动的方式进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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