[发明专利]第III族氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280065179.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104040736A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 门胁嘉孝;丰田达宪 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种第III族氮化物半导体器件，其在第III族氮化物半导体层的(000-1)面侧与电极之间具有良好的欧姆接触，并能够在较低电压下工作。所述第III族氮化物半导体器件(100)特征在于：在所述第III族氮化物半导体层110的(000-1)面侧的规定区域120内具有多个圆顶状圆形凸部124；和在所述规定区域120的上表面上具有电极128。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有第III族氮化物半导体层的第III族氮化物半导体器件，其包含：在所述第III族氮化物半导体层的(000‑1)面侧的规定区域内的多个圆顶状圆形凸部；和在所述规定区域的上表面上的电极。
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