[发明专利]机电系统的处理和用于机电系统处理的装备无效

专利信息
申请号: 201280065740.2 申请日: 2012-11-19
公开(公告)号: CN104040708A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 笹川照夫;莱昂纳德·尤金·芬内尔 申请(专利权)人: 高通MEMS科技公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供用于在批次群集工具中处理多个衬底的系统、方法和设备。批次群集工具可包含转移腔室、蚀刻处理腔室和原子层沉积ALD处理腔室与自组装单层SAM处理腔室中的一或两者。所述批次处理腔室中的每一者可为其中所述衬底彼此敞开的共同腔室,或可包含在操作中彼此隔离的多个处理子腔室。多个衬底被转移到蚀刻腔室中。所述衬底暴露于气相蚀刻剂。接着,所述衬底可转移到原子层沉积ALD腔室且暴露于气相反应剂以形成薄膜。所述衬底可从所述蚀刻处理腔室或所述ALD腔室转移到第三腔室且暴露于气相反应剂以形成自组装单层SAM。
搜索关键词: 机电 系统 处理 用于 装备
【主权项】:
一种形成装置的方法,其包括:将多个衬底从群集工具的转移腔室转移到所述群集工具的蚀刻腔室中;使所述衬底暴露于气相蚀刻剂;以及在使所述衬底暴露于气相蚀刻剂之后,执行以下至少一者:使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入原子层沉积ALD腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以通过ALD而在所述衬底上形成薄膜,以及使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入第三腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以在所述衬底上形成自组装单层SAM。
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