[发明专利]机电系统的处理和用于机电系统处理的装备无效
申请号: | 201280065740.2 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN104040708A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 笹川照夫;莱昂纳德·尤金·芬内尔 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供用于在批次群集工具中处理多个衬底的系统、方法和设备。批次群集工具可包含转移腔室、蚀刻处理腔室和原子层沉积ALD处理腔室与自组装单层SAM处理腔室中的一或两者。所述批次处理腔室中的每一者可为其中所述衬底彼此敞开的共同腔室,或可包含在操作中彼此隔离的多个处理子腔室。多个衬底被转移到蚀刻腔室中。所述衬底暴露于气相蚀刻剂。接着,所述衬底可转移到原子层沉积ALD腔室且暴露于气相反应剂以形成薄膜。所述衬底可从所述蚀刻处理腔室或所述ALD腔室转移到第三腔室且暴露于气相反应剂以形成自组装单层SAM。 | ||
搜索关键词: | 机电 系统 处理 用于 装备 | ||
【主权项】:
一种形成装置的方法,其包括:将多个衬底从群集工具的转移腔室转移到所述群集工具的蚀刻腔室中;使所述衬底暴露于气相蚀刻剂;以及在使所述衬底暴露于气相蚀刻剂之后,执行以下至少一者:使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入原子层沉积ALD腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以通过ALD而在所述衬底上形成薄膜,以及使所述衬底转移穿过所述转移腔室且进入第三腔室且使所述衬底暴露于气相反应剂以在所述衬底上形成自组装单层SAM。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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