[发明专利]用于二次电池的阳极材料的硅氧化物,其制造方法以及使用硅氧化物的二次电池的阳极材料有效

专利信息
申请号: 201280066421.3 申请日: 2012-02-10
公开(公告)号: CN104203822A 公开(公告)日: 2014-12-10
发明(设计)人: 姜允圭 申请(专利权)人: 株式会社礼一电子
主分类号: C01B33/146 分类号: C01B33/146;H01M4/1391;H01M4/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 项丹
地址: 韩国仁*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明涉及用于二次电池的阳极材料的硅氧化物,其具有优异的机械寿命和电特性,还涉及用于制备其的方法和使用硅氧化物的二次电池的阳极材料。更具体地,涉及制造用于二次电池的阳极材料的硅氧化物的方法,其包括如下步骤:将SiCl4与乙二醇混合来制造混合物;对由硅氧化物制造的凝胶进行热处理,本发明还涉及使用硅氧化物的二次电池的阳极材料。
搜索关键词: 用于 二次 电池 阳极 材料 氧化物 制造 方法 以及 使用
【主权项】:
一种制备用于二次电池的阳极的硅氧化物的方法,所述方法包括:通过以10:90至70:30的体积比混合SiCl4和乙二醇来制备混合物;通过将混合物在50‑300℃下搅动2‑72小时来制造凝胶;以及在50‑1,000℃对凝胶进行热处理。
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