[发明专利]用于纳米元件的定向组装和转移的镶嵌模板有效
申请号: | 201280066438.9 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN104040694B | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | A·布斯奈納;H·卓;S·索穆;J·黄 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 陈松涛,夏青 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 镶嵌模板具有设置在跨越衬底延伸的下层导电层上的二维图案化升高金属特征。所述模板总体具有平坦形貌,所述图案化导电特征建立了用于将纳米元件组装到纳米级电路和传感器内的微米级和纳米级图案。采用微制造技术连同化学机械抛光制造所述模板。这些模板与包括电泳在内的各种定向组装技术兼容,并且能够在连续操作周期内提供纳米元件的基本上100%有效的组装和转移。可以在损坏最低或者没有损坏的情况下将所述模板成千上万次地重复用于图案化纳米元件的转移,所述转移过程不设计周期之间的中间处理。在室温和压力下执行所采用的组装和转移过程,因而所述过程经得起低成本、高速率器件制造的检验。 | ||
搜索关键词: | 用于 纳米 元件 定向 组装 转移 镶嵌 模板 | ||
【主权项】:
一种用于图案化纳米元件的电泳组装和转移的镶嵌模板,所述模板包括:衬底,所述衬底为平面;第一绝缘层,所述第一绝缘层被设置在所述衬底的表面上;粘附层,所述粘附层被设置在所述第一绝缘层的与所述衬底相对的表面上;导电金属层,所述导电金属层被设置在所述粘附层的与所述第一绝缘层相对的表面上;第二绝缘层,所述第二绝缘层被设置在所述导电金属层的与所述粘附层相对的表面上;以及疏水涂层,所述疏水涂层有选择地被设置在所述第二绝缘层的与所述导电金属层相对的露出表面上;其中,所述导电金属层是跨越所述衬底的至少一个区域连续的,并且所述导电金属层在所述导电金属层的所述区域内具有阻断所述第二绝缘层的升高特征的二维微米级或纳米级图案;其中,所述第二绝缘层填充所述升高特征之间的空间;并且其中,所述升高特征的露出表面和所述第二绝缘层的露出表面共平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280066438.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造