[发明专利]高纯度铜溅射靶有效
| 申请号： | 201280067023.3 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104053814A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 冈部岳夫;大月富男;渡边茂 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度铜溅射靶，其特征在于，该靶的凸缘部的维氏硬度为90Hv～100Hv的范围，靶中央的侵蚀部的维氏硬度处于55Hv～70Hv的范围，并且侵蚀部的晶粒直径为80μm以下。本发明涉及不需要与背板(BP)接合的高纯度铜溅射靶，其课题是通过提高该靶的凸缘部的强度(硬度)，减少靶的翘曲量，由此提供能够形成均匀性(均一性)优良的薄膜的高纯度铜溅射靶。另外，对于该靶而言，通过调节侵蚀部和凸缘部的(111)取向率，从而提高膜厚的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 溅射 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜溅射靶，其特征在于，该靶的凸缘部的维氏硬度为90Hv～100Hv的范围，靶中央的侵蚀部的维氏硬度处于55Hv～70Hv的范围，并且侵蚀部的晶粒直径为80μm以下。
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