[发明专利]具有绝缘层和二级层的层叠芯片组及其形成方法有效
申请号: | 201280067053.4 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN104054175B | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | C·左;C·尹;S-J·朴;C·S·罗;M·F·维伦茨;J·金 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 李小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种芯片组(100)包括玻璃、石英或蓝宝石板(102)以及第一晶片(104),第一晶片(104)具有在第一基底层(106)的第一侧(108)上的至少一个第一电路层(112)。第一晶片(104)连接到该板(102),以使得该至少一个第一电路层(112)位于第一基底层(106)与该板(102)之间。具有在第二基底层(120)的第一侧(122)上的至少一个第二电路层(126)的第二晶片(126)连接到第一基底层(106),以使得该至少一个第二电路层(126)位于第二基底层(120)与第一基底层(106)之间。还公开了一种形成芯片组的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 绝缘 二级 层叠 芯片组 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体管芯,包括:玻璃、石英或蓝宝石基板;第一半导体层,所述第一半导体层包括第一绝缘层和在所述第一绝缘层的第一侧上的至少一个第一电路层,所述第一半导体层连接到所述基板,以使得所述至少一个第一电路层位于所述第一绝缘层与所述基板之间,其中所述第一半导体层使用粘合层直接接合到所述基板,其中所述第一绝缘层包括与所述第一绝缘层的第一侧相对的第二侧;以及第二半导体层,所述第二半导体层包括第二绝缘层和至少一个第二电路层,其中所述第二绝缘层包括第一侧和第二侧,所述第二绝缘层的第一侧面向所述第一绝缘层的第二侧且所述第二绝缘层的第二侧与所述第二绝缘层的第一侧相对,其中所述至少一个第二电路层包括在所述第二绝缘层的第一侧上形成并直接与所述第二绝缘层的第一侧接触的至少一个第一无源电路元件以及在所述第二绝缘层的第二侧上形成并直接与所述第二绝缘层的第二侧接触的至少一个第二无源电路元件,所述第二半导体层连接到所述第一绝缘层,以使得所述至少一个第一无源电路元件位于所述第二绝缘层与所述第一绝缘层之间,其中所述第一绝缘层的第二侧接合到所述至少一个第二电路层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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