[发明专利]光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置

摘要

包括：在硅基基板(11)的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层(15)的工序；以及蚀刻工序，用于在硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除杂质扩散层，蚀刻工序包括：蚀刻流体供给工序，在第1面侧中，从供给位置供给向硅基基板的外缘部流动的蚀刻流体(33)；以及空气供给工序，与蚀刻流体供给工序中的蚀刻流体的供给相匹配地，在硅基基板中的与第1面侧相反的第2面侧中，向与蚀刻流体相同的朝向，供给空气(34)。

主权项

一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：在硅基基板的表面扩散杂质元素，形成杂质扩散层的工序；以及蚀刻工序，用于在所述硅基基板的第1面侧中的至少一部分中，去除所述杂质扩散层，所述蚀刻工序包括：蚀刻流体供给工序，在所述第1面侧中，从供给位置供给向所述硅基基板的外缘部流动的蚀刻流体；以及空气供给工序，与所述蚀刻流体供给工序中的所述蚀刻流体的供给相匹配地，在所述硅基基板中的与所述第1面侧相反的第2面侧中，向与所述蚀刻流体相同的朝向供给空气。