[发明专利]单晶制造装置所使用的籽晶保持轴以及单晶制造方法有效
| 申请号： | 201280067542.X | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104066874B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;楠一彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种与以往相比能够使SiC单晶更快生长的采用溶液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴、和采用溶液法的单晶制造方法。一种籽晶保持轴，是采用溶液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，籽晶保持轴的侧面的至少一部分由具有比籽晶保持轴的反射率大的反射率的反射部件覆盖着，反射部件被配置成在反射部件和保持在籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 使用 籽晶 保持 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种籽晶保持轴，是采用溶液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，所述籽晶保持轴的侧面的至少一部分由反射部件覆盖着，所述反射部件具有比所述籽晶保持轴的反射率大的反射率，所述反射部件被配置成在所述反射部件和保持于所述籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
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