[发明专利]利用注入制造氮化镓P-I-N二极管的方法

摘要

一种第III族氮化物半导体器件，包括：用于支持在第III族氮化物半导体器件的正向偏置操作期间的电流流动的有源区。该有源区包括：具有第一导电类型的第一第III族氮化物外延材料和具有第二导电类型的第二第III族氮化物外延材料。第III族氮化物半导体器件还包括物理上相邻于有源区并且包括包含第一第III族氮化物外延材料的一部分的注入区的边缘终端区。第一第III族氮化物外延材料的注入区相对于第一第III族氮化物外延材料的相邻于注入区的部分具有降低的电导率。

主权项

一种用于制造第III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括：提供第一导电类型的并且特征在于第一掺杂剂浓度的第III族氮化物衬底；形成耦接到所述第III族氮化物衬底的所述第一导电类型的第一第III族氮化物外延层，其中所述第一第III族氮化物外延层的特征在于比所述第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度；形成耦接到所述第一第III族氮化物外延层的第二导电类型的第二第III族氮化物外延层；去除所述第二第III族氮化物外延层的一部分以露出所述第一第III族氮化物外延层的一部分；向所述第一第III族氮化物外延层的露出部分的注入区中注入离子，所述第一第III族氮化物外延层的所述露出部分相邻于所述第二第III族氮化物外延层的剩余部分；形成耦接到所述第二第III族氮化物外延层的所述剩余部分的第一金属结构；以及形成耦接到所述第III族氮化物衬底的第二金属结构，其中所述注入区中的电荷密度显著低于所述第一第III族氮化物外延层中的电荷密度。