[发明专利]半导体装置

摘要

本说明书所公开的半导体装置具备半导体基板、和形成于半导体基板的非单元区域的表面的场板部。非单元区域具备多个FLR层。场板部具备形成在半导体基板的表面的绝缘膜；多个第1导电膜，所述多个第1导电膜在绝缘膜的内部按每个FLR层形成，当俯视半导体基板时沿着对应的FLR层配置；和多个第2导电膜，所述多个第2导电膜与邻接的至少2个FLR层分别对应形成，当俯视半导体基板时，所述多个第2导电膜沿着对应的FLR层在该对应的FLR层的一部分上断续地配置，所述多个第2导电膜具备形成在绝缘膜的表面的表面部、从表面部延伸并贯穿绝缘膜来与第1导电膜电连接的第1连接部、和从表面部延伸并贯穿绝缘膜而与FLR层电连接的第2连接部。在1个第2导电膜的第1连接部、第2连接部沿第2方向邻接的位置没有设置其他第2导电膜的第1连接部、第2连接部。

主权项

一种半导体装置(10)，具备：半导体基板，其具有形成有半导体元件的单元区域(101)、和设置在所述单元区域的周围的非单元区域(102)；以及形成在所述非单元区域的表面的场板部(11)，其特征在于，所述非单元区域具备：第1导电型的基板层(132)；和多个第2导电型的场限环层(135a、135b、135c、135d)，所述多个第2导电型的场限环层形成于所述基板层的表面，在沿着所述单元区域的周围的第1方向延伸而包围所述单元区域，并且在与所述第1方向正交的第2方向空开间隔配置，所述场板部具备：形成在半导体基板(100)的表面的绝缘膜(142)；多个第1导电膜(140a、140b、140c、140d)，所述多个第1导电膜在所述绝缘膜的内部按每个所述场限环层形成，当俯视所述半导体基板时沿着对应的所述场限环层配置；和多个第2导电膜(120a、120b)，所述多个第2导电膜与邻接的至少2个所述场限环层分别对应形成，当俯视所述半导体基板时，所述多个第2导电膜沿着对应的所述场限环层在对应的所述场限环层的一部分上断续地配置，所述多个第2导电膜具备形成在所述绝缘膜的表面的表面部(121a、121b)、从所述表面部延伸并贯穿所述绝缘膜来与所述第1导电膜电连接的第1连接部(123a、123b)、和从所述表面部延伸并贯穿所述绝缘膜而与所述场限环层电连接的第2连接部(122a、122b)，在所述第2导电膜中的一个第2导电膜的所述第1连接部沿所述第2方向邻接的位置没有设置其他所述第2导电膜的所述第1连接部，在所述第2导电膜中的一个第2导电膜的所述第2连接部沿所述第2方向邻接的位置没有设置其他所述第2导电膜的所述第2连接部。