[发明专利]荧光体、其制备方法及其用途有效
| 申请号： | 201280068195.2 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN104080885A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 江本秀幸;丰岛广朗 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 杨黎峰;金丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种荧光体、以及通过使用该荧光体而成为高亮度且寿命长的发光装置，所述荧光体是吸收LED等发光元件的光而发出红色光的、将与CaAlSiN3的晶相相同的晶体结构作为主晶的、且发光效率比以往更优异。所述荧光体是由通式Cax(Si,Al)2(N,O)3+y(其中，0.75≤x≤0.92、-0.2≤y≤0.2)表示的、一部分Ca元素被Eu元素取代的粉末状的荧光体，其中，所述荧光体的Si/Al比(摩尔比)大于等于0.9且小于等于1.55，Eu含有率大于等于0.01at％且小于等于0.3at％，粒子内固溶氧量大于等于0.4质量％小于等于0.7质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
一种荧光体，其是由通式Cax(Si,Al)2(N,O)3+y表示的、一部分Ca元素被Eu元素取代的粉末状的荧光体，并且0.75≤x≤0.92、‑0.2≤y≤0.2，其中，所述荧光体的Si/Al比即摩尔比大于等于0.9且小于等于1.55，Eu含有率大于等于0.01at％且小于等于0.3at％，粒子内固溶氧量大于等于0.4质量％且小于等于0.7质量％。
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