[发明专利]大面积的光学性能合成多晶金刚石窗口有效
| 申请号： | 201280068267.3 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104220635B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | P·N·英格利斯;J·R·布莱顿;J·M·多德森;T·P·莫拉特 | 申请（专利权）人： | 六号元素技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/01 | 分类号： | C23C16/01;C23C16/27;H01J37/32;C23C16/44;C23C16/56;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 林振波 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多晶化学气相沉积(CVD)金刚石晶片包括等于或大于125mm的最大线性尺寸；等于或大于200μm的厚度；以及在室温下(标称298K)在多晶CVD金刚石晶片的至少中心区域上测量的以下特性中的一个或两个，所述中心区域是圆形的，以多晶CVD金刚石晶片的中心点为中心，并且所述中心区域的直径是多晶CVD金刚石晶片的最大线性尺寸的至少70％在10.6μm处，吸收系数≤0.2cm‑1；以及在145GHz时介电损耗系数为tanδ≤2×10‑4。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 光学 性能 合成 多晶 金刚石 窗口 | ||
【主权项】：
一种多晶化学气相沉积金刚石晶片，包括：等于或大于125mm的最大线性尺寸；等于或大于200μm的厚度；以及在室温标称298K下，在多晶化学气相沉积金刚石晶片的至少中心区域上测量的以下特性，所述中心区域是圆形的，以多晶化学气相沉积金刚石晶片的中心点为中心，并且所述中心区域的直径是多晶化学气相沉积金刚石晶片的最大线性尺寸的至少70％：在145GHz时介电损耗系数为tanδ≤5×10‑5，以及热导率不小于1900Wm‑1K‑1。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
