[发明专利]半导体装置和其制造方法在审
申请号: | 201280068713.0 | 申请日: | 2012-07-25 |
公开(公告)号: | CN104145331A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 山本圭;多田和弘;古森秀树;木村享;后藤正喜;芳原弘行 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/36;H01L21/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种简单的构造且具有良好的散热特性的散热片一体型半导体装置以及其制造方法。半导体装置具有:基底板,其在第1主面上设有直立设置的凸片;绝缘层,其形成在与基底板的第1主面相对的基底板的第2主面上;电路图案,其固定在绝缘层上;以及半导体元件,其与电路图案接合。在凸片上形成有沿凸片的厚度方向贯穿的狭缝。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:金属性基底板,其在第1主面上通过一体加工而设有直立设置的凸片;绝缘层,其形成在与所述基底板的第1主面相对的所述基底板的第2主面上;电路图案,其固定在所述绝缘层上;半导体元件,其与所述电路图案接合;以及封装树脂,其对所述绝缘层、所述电路图案以及所述半导体元件进行封装,在所述凸片上形成有沿所述凸片的厚度方向贯穿的狭缝。
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