[发明专利]用于硅晶体生长拉制方法的惰性气体回收和再循环有效
| 申请号： | 201280069224.7 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104080957A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 宋灵岩;L.A.布朗 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06;C01B23/00;F25J3/02;F27D17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张萍;李炳爱 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于结合硅晶体拉制方法来持续地回收、纯化和再循环惰性气体的方法。通过用调节量的氧化源气体混合物就地氧化，将在晶体生长工艺期间产生的氧化硅杂质完全氧化以形成二氧化硅杂质，其可通过颗粒移除装置移除。无颗粒的流出物进入纯化单元以移除剩余杂质。从纯化单元中涌出的惰性气体可被给送回晶体拉晶机设备和/或与氧化源气体混合物混合。因此，可实现增加硅晶体通过量、品质和同时降低与再循环惰性气体相关成本的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 拉制 方法 惰性气体 回收 再循环 | ||
【主权项】：
一种用于为硅晶体拉制设备供应氧化源气体混合物的流的方法，其包含以下步骤： 将所述氧化源气体混合物的流引入惰性吹扫气体的流中，所述惰性吹扫气体的流包含从所述晶体拉制设备产生的氧化硅杂质； 氧化在所述惰性吹扫气体流中基本上所有氧化硅杂质以产生二氧化硅颗粒； 移除位于所述晶体拉制设备的下游的调节单元内的所述二氧化硅颗粒；和 将所述氧化源气体混合物中的所述氮含量调节到低于预定阈值。
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