[发明专利]具有多个非易失性半导体存储单元的存储装置及其用于在具有较高残留寿命长度的存储单元中放置热数据而在具有较低残留寿命长度的存储单元中放置冷数据的控制方法

摘要

一种存储装置，被提供有多个非易失性半导体存储介质和存储控制器，该存储控制器耦合到该多个半导体存储介质。存储控制器基于已经获取的剩余寿命长度信息标识第一半导体存储单元和第二半导体存储单元，该第一半导体存储单元是至少一个半导体存储介质，该第二半导体存储单元是至少一个半导体存储介质并且被提供有比第一半导体存储单元的剩余寿命长度短的剩余寿命长度。而且，存储控制器基于指示与针对每个逻辑存储区域的写入有关的统计结果的统计信息标识用于第一半导体存储单元的第一逻辑存储区域和用于第二半导体存储单元的第二逻辑存储区域，该第二逻辑存储区域被提供有比第一逻辑存储区域的写入负荷高的写入负荷。存储控制器从第一逻辑存储区域和第二逻辑存储区域读取数据并且向第二逻辑存储区域写入已经从第一逻辑存储区域读取的数据和/或向第一逻辑存储区域写入已经从第二逻辑存储区域读取的数据。

主权项

一种存储装置，包括：被提供有存储器控制器的多个非易失性半导体存储单元；以及存储控制器，所述存储控制器是耦合到所述多个半导体存储单元的控制器，其中所述半导体存储单元中的每个半导体存储单元由至少一个非易失性半导体存储介质构成、并且是逻辑存储区域的基础，所述存储控制器向半导体存储单元写入数据，所述半导体存储单元是多个逻辑存储区域中的写入目的地的逻辑存储区域的基础，所述存储控制器例如规律地或者不规律地从所述半导体存储介质中的每个半导体存储介质获取内部信息、并且存储所获取到的针对各个半导体存储介质的所述内部信息，所述存储控制器针对每个半导体存储介质存储统计信息、并且存储剩余寿命长度信息，所述统计信息指示与对每个逻辑存储区域的写入有关的统计结果，所述剩余寿命长度信息是与所述半导体存储介质中的每个半导体存储介质的剩余寿命长度有关的信息，(A)所述存储控制器基于所获取到的所述剩余寿命长度信息，来标识第一半导体存储单元和被提供有比所述第一半导体存储单元的剩余寿命长度短的剩余寿命长度的第二半导体存储单元，(B)所述存储控制器另外基于指示与对每个逻辑存储区域的写入有关的所述统计结果的所述统计信息，来标识用于所述第一半导体存储单元的第一逻辑存储区域和用于所述第二半导体存储单元的、被提供有比所述第一逻辑存储区域的写入负荷高的写入负荷的第二逻辑存储区域，并且(C)所述存储控制器从第一逻辑存储区域组和所述第二逻辑存储区域读取数据、向所述第二逻辑存储区域写入从所述第一逻辑存储区域读取到的数据、并且/或者向所述第一逻辑存储区域写入从所述第二逻辑存储区域读取到的数据。