[发明专利]IGBT以及IGBT的制造方法有效
| 申请号： | 201280069700.5 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104115274B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 加藤武宽;大西徹 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，所述绝缘栅双极性晶体管具有：n型的发射区；p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；n型的中间区，其被形成在顶部体区的下侧；p型的底部体区，其被形成在中间区的下侧；n型的漂移区，其被形成在底部体区的下侧；p型的集电区，其与漂移区相接；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和漂移区之间的顶部体区、中间区以及底部体区对置，所述绝缘栅双极性晶体管的制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在形成绝缘膜之后，在半导体基板上及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在电极层的上表面的平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至位于中间区的深度处且跨及沟槽内的电极层和沟槽外的半导体基板的范围内的工序。
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