[发明专利]具有冷却工艺环与加热工作件支撑表面的等离子体反应器静电夹盘

摘要

藉由热隔离工艺环与静电夹盘的隔离圆片，以及藉由提供热传导及电绝缘的热环，来阻止半导体工艺环的不希望的加热，其中该热传导及电绝缘的热环接触半导体工艺环及底层的金属基底两者，该底层的金属基底具有内部冷却剂流动通道。

主权项

一种在等离子体反应器的腔室内的工作件上执行等离子体增强蚀刻工艺的方法，所述等离子体反应器包含：位于所述腔室中的隔离圆片，以及位于所述隔离圆片中的ESC电极；金属基底层，所述金属基底层位于所述隔离圆片下方并接触所述隔离圆片，且所述金属基底层的直径超过所述隔离圆片的直径，所述金属基底层耦合至共同电位；射频等离子体偏压功率产生器，所述射频等离子体偏压功率产生器具有耦接至所述ESC电极的功率端子以及耦合至所述共同电位的回程端子；所述方法包含以下步骤：提供覆盖所述隔离圆片的外围部分的半导体工艺环以及提供所述工艺环与所述隔离圆片之间的缝隙，所述缝隙阻止所述工艺环与所述隔离圆片之间的直接热接触；在所述基底层与所述半导体工艺环之间提供热环，且所述热环与所述基底层及所述半导体工艺环接触，所述热环是热导体与电绝缘体；将工作件固持在所述隔离圆片的表面上，将工艺气体引入到所述腔室中并将等离子体源功率耦合至所述腔室的内部；藉由使冷却剂流动通过所述基底层中的冷却剂流动通道来冷却所述工艺环至低于第一温度；以及藉由将电功率施加于所述隔离圆片内部的加热组件来加热所述工作件至高于第二温度。