[发明专利]使半导体窗口层退火的方法有效
| 申请号： | 201280070113.8 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN104115289B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | J.曹;J.C.罗霍;G.T.达拉科斯;A.亚基莫夫;D.钟;B.A.科雷瓦尔;S.D.费尔德曼-皮博迪 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;汤春龙 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供制造半导体组件的方法。该制造方法包括：热处理第一半导体组件，其包括设置在第一支承上的第一半导体层；和热处理第二半导体组件，其包括设置在第二支承上的第二半导体层。第一和第二半导体组件同时被热处理，并且布置第一和第二半导体组件使得第一半导体层在热处理期间面向第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 窗口 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多个半导体组件的方法，所述制造方法包括：热处理第一半导体组件，其包括设置在第一支承上的第一半导体层；和热处理第二半导体组件，其包括设置在第二支承上的第二半导体层，其中所述第一和第二半导体组件同时被热处理，并且其中布置所述第一和第二半导体组件使得所述第一半导体层在所述热处理期间面向所述第二半导体层,其中所述第一和所述第二半导体层包括从由硫化镉（CdS）、硫化铟（III）（In2S3）、硫化锌（ZnS）、碲化锌（ZnTe）、硒化锌（ZnSe）、硒化镉（CdSe）、硒化镉锰（CdxMn1‑xSe）、充氧硫化镉（CdS:O）、氧化亚铜（Cu2O）、非晶或微晶硅和Zn(O,H)以及其组合组成的组中选择的材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用电气公司，未经通用电气公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280070113.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
