[发明专利]半导体装置

摘要

本发明所涉及的半导体装置，具有半导体元件，其具有在俯视观察时直线地形成的多个栅极、与该多个栅极绝缘的发射极图案、以及在该发射极图案上形成的发射极电极，并且形成为主电流经由该发射极图案流向该发射极电极；第1焊点，其形成在该发射极电极的一部分上；第2焊点，其与该第1焊点隔离地形成在该发射极电极的一部分上；以及端子，其经由该第1焊点以及该第2焊点与该发射极电极连接。该半导体元件具有形成有该第1焊点的第1焊点区域、形成有该第2焊点的第2焊点区域、以及该第1焊点区域和该第2焊点区域之间的区域即中间区域，该第1焊点区域的该栅极的密度、该第2焊点区域的该栅极的密度和该中间区域的该栅极的密度相等，该半导体元件形成为，该中间区域的该主电流的电流密度低于该第1焊点区域以及该第2焊点区域的该主电流的电流密度。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件，其具有在俯视观察时直线地形成的多个栅极、与所述多个栅极绝缘的发射极图案、以及在所述发射极图案上形成的发射极电极，并且形成为主电流经由所述发射极图案流向所述发射极电极；第1焊点，其形成在所述发射极电极的一部分上；第2焊点，其与所述第1焊点隔离地形成在所述发射极电极的一部分上；以及端子，其经由所述第1焊点以及所述第2焊点与所述发射极电极连接，所述半导体元件具有形成有所述第1焊点的第1焊点区域、形成有所述第2焊点的第2焊点区域、以及所述第1焊点区域和所述第2焊点区域之间的区域即中间区域，所述第1焊点区域的所述栅极的密度、所述第2焊点区域的所述栅极的密度和所述中间区域的所述栅极的密度相等，所述半导体元件形成为，所述中间区域的所述主电流的电流密度低于所述第1焊点区域以及所述第2焊点区域的所述主电流的电流密度。