[发明专利]用于OLED的透明阳极无效
申请号: | 201280070682.2 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN104145349A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | D.吉马尔;J.博茨;A.帕拉西奥斯-拉卢瓦 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;C03C17/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黄念;林森 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及用于有机电致发光二极管(OLED)的透明电极,其在由无机玻璃制成的透明载体上包含n个单元薄层堆叠体,每个单元堆叠体依次包含,从该玻璃载体开始:(a)混合氧化锌锡层(SnZnO),(b)氧化锌结晶层(ZnO),任选地用铝掺杂,和(c)银金属层,其与ZnO层接触,该电极特征在于在每个银层和与其最靠近的一个或多个SnZnO层之间设置(d)任选地用金属掺杂的氮化硅(Si3N4)或二氧化硅层。本发明还涉及包含这种电极的OLED装置和制备这种装置的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 oled 透明 阳极 | ||
【主权项】:
用于有机电致发光二极管(OLED)的透明电极,其在由无机玻璃制成的透明载体上包含n个单元薄层堆叠体,每个单元堆叠体依次包含,从该玻璃载体开始:‑混合氧化锌锡(SnZnO)层,氧化锌(ZnO)结晶层,其任选地是掺杂的,优选用铝和/或用镓掺杂,和‑银金属层,其与ZnO层接触,该电极特征在于在每个银层和与其最靠近的一个或多个SnZnO层之间设置了氮化硅(Si3N4)层或二氧化硅(SiO2)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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