[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280070852.7 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104137251A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 松本英显;山下顺;江刺家健司;杉野高夫 | 申请（专利权）人： | 新日本无线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8232;H01L27/04;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具备ESD保护元件的半导体装置，其能够以抑制尺寸扩大、不需要附加工序、不会导致半导体装置的性能降低的方式形成，该装置包括：半导体基板(1)、包括由在其上形成的与该基板不同导电型的区域(2)形成的PN结的电路元件(10)、以及其保护元件(11)。该保护元件(11)是由上述区域(2)、与该区域相同导电型的其他区域(6)以及半导体基板(1)形成的晶体管，其发射极与半导体基板(1)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有第1导电型半导体基板、以及在该半导体基板表面形成的第2导电型半导体层的第1区域，并具有包括由上述半导体基板和上述第1区域形成的PN结的电路元件、连接于上述第1区域的输入端子、以及保护上述电路元件免受施加到上述输入端子的静电放电ESD影响的保护元件，其中，上述保护元件包括通过在上述半导体基板形成上述第2导电型半导体层的第2区域从而使上述第1区域为集电极、使上述半导体基板为基极、使上述第2区域为发射极而形成的晶体管，并通过该发射极与上述半导体基板经由设置在上述半导体基板的连接区域由导电体连接而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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