[发明专利]通过提高的直接法残留物的裂化合成有机基卤代硅烷单体

摘要

本申请公开了用于由得自有机基卤化物与硅的直接反应的高沸点残留物制备有机基卤代硅烷单体的催化方法。所述高沸点残留物含有比常规非可裂化化合物更为常规可裂化的化合物。所述方法包括在催化剂的存在下加热所述残留物，所述催化剂包括(1)一种或多种杂环胺和/或一种或多种杂环卤化铵，和(2)一种或多种15族的季鎓化合物。

主权项

用于由得自有机基卤化物与硅的直接反应的高沸点残留物制备有机基卤代硅烷单体组合物的催化方法，所述方法包括：(A)在大气压力或超大气压力于75℃至300℃的温度，在催化剂的存在下，任选地在有机基卤化物和/或卤化氢和/或惰性气体的存在下，加热所述高沸点残留物，所述催化剂包括(1)一种或多种杂环胺和/或一种或多种杂环卤化铵，和(2)一种或多种15族季鎓化合物，所述杂环胺为具有1至3个氮原子的五元杂环胺且选自咪唑、1‑甲基咪唑、2‑甲基咪唑、2‑乙基咪唑、2‑异丙基咪唑、4‑甲基咪唑、2,4‑二甲基咪唑、2‑(咪唑‑2‑基)咪唑、2‑苯基咪唑、咪唑啉、四氢咪唑、吡唑、3‑甲基吡唑、吡咯烷酮、N‑甲基吡咯烷酮、1,3‑二甲基‑2‑咪唑烷酮、1,2,3‑三唑和1,2,4‑三唑，所述杂环卤化铵源自具有1至3个氮原子的五元杂环胺，其中卤素为氟、氯、溴或碘，从而将所述高沸点残留物转化成含有至少一种有机基卤代硅烷单体的有机基卤代硅烷单体组合物，所述有机基卤代硅烷单体具有选自R1SiHX2、R12SiHX、R12SiX2和R13SiX的通式，R1为芳族，脂族，烷芳基或脂环族单价烃基，X为选自氟、氯、溴、和碘的卤素原子，和(B)任选地回收所述催化剂，其中所述高沸点残留物包含(1)包含二有机基四卤代二硅烷和三有机基三卤代二硅烷中的至少一种的可裂化组分，和(2)任选的含有碳硅烷、聚硅烷、六有机基二硅烷、五有机基卤代二硅烷和四有机基二卤代二硅烷中的至少一种的非可裂化组分，条件是如果存在所述非可裂化组分的话，所述非可裂化组分的浓度不大于所述可裂化组分的浓度；和其中所述15族季鎓化合物具有通式R4Q+X‑，其中R各自独立地为具有1至30个碳原子的烷基，Q为磷，X为选自F、Cl、Br和I的卤素。