[发明专利]电子元器件及电子元器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280071499.4 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN104205301B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 斋藤隆;西泽龙男;木下庆人;梨子田典弘 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60;H01L21/603;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡秋瑾 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明中，在成为半导体元件的正面电极的导电部(1)的表面对以铜为主要成分的第1金属膜(2)进行成膜。在第1金属膜(2)的表面对以银为主要成分的第2金属膜(3)进行成膜。在第2金属膜(3)的表面，经由含有银粒子的接合层(4)接合有金属板(5)，该金属板(5)用于电连接导电部(1)与其他构件(例如绝缘基板(23)的电路图案(24))。在第2金属膜(3)中不包含会使第2金属膜(3)与含有银粒子的接合层(4)的接合强度下降的镍。由此，能够提供具有较高的接合强度及优异的耐热性和散热性的电子元器件(10)以及电子元器件(10)的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子元器件，其特征在于，包括：设置于半导体元件的表面的导电部；设置于所述导电部的表面，且由以铜为主要成分的材料形成的第1金属膜；设置于所述第1金属膜的表面，且由以银为主要成分的材料形成的第2金属膜；以及设置于所述第2金属膜的表面，且含有银粒子的接合层，所述半导体元件由硅或碳化硅形成，所述导电部由铝或铜和铝的合金形成，所述含有银粒子的接合层与金属板接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
