[发明专利]离子交换基底和金属化产物及用于制造它们的装置和方法在审
申请号: | 201280071571.3 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN104203857A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | A·阿伯德沃德;史蒂芬·瓦克罗 | 申请(专利权)人: | 邓迪大学 |
主分类号: | C03C21/00 | 分类号: | C03C21/00;C03C23/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 高瑜;郑霞 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种通过加热离子交换基底并横跨离子交换基底施加电压以通过离子交换过程将来自于金属层的金属离子嵌入到离子交换基底使基底金属化的方法和装置。得到的含有金属离子的扩散基底被基本均匀地分布遍及基底。这可以通过以下而被金属化,在金属离子的某浓度处或附近,对扩散基底表面应用脉冲激光光束,使得在激光脉冲入射在扩散基底上的位置处或附近,激光的能量引起扩散基底中的金属离子转化成金属原子,由此制造具有表面图案的金属化的基底,该表面图案由激光光束经过扩散基底的表面的运动来界定。 | ||
搜索关键词: | 离子交换 基底 金属化 产物 用于 制造 它们 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种制造适用于金属化的离子交换基底的方法,所述方法包括以下步骤:通过以下制造适用于金属化的扩散基底:加热离子交换基底并横跨离子交换基底施加电压以通过离子交换过程将来自于金属层的金属离子嵌入到所述离子交换基底中来制造扩散基底,在所述扩散基底中,所述金属离子被基本均匀地分布遍及所述基底。
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