[发明专利]非线性忆阻器有效
| 申请号： | 201280071789.9 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104254919B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨建华;民贤·马克斯·张;马修·D·皮克特;R·斯坦利·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非线性忆阻器，包括底电极、顶电极和在所述底电极和所述顶电极之间的绝缘体层。所述绝缘体层包括金属氧化物。所述非线性忆阻器进一步包括由所述底电极向所述顶电极延伸的在所述绝缘体层内的切换通道和在所述切换通道和所述顶电极之间的金属‑绝缘体‑过渡材料的纳米帽层。所述顶电极包括与所述金属‑绝缘体‑过渡材料中的金属相同的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 非线性 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种非线性忆阻器，包括：底电极；顶电极；在所述底电极和所述顶电极之间的绝缘体层，所述绝缘体层包括金属氧化物；在所述绝缘体层内的切换通道，所述切换通道由所述底电极向所述顶电极延伸；和在所述切换通道和所述顶电极之间的金属‑绝缘体‑过渡材料的纳米帽层，其中所述顶电极包括与所述金属‑绝缘体‑过渡材料中的金属相同的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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