[发明专利]摄像元件以及摄像装置有效
申请号: | 201280072169.7 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN104205332A | 公开(公告)日: | 2014-12-10 |
发明(设计)人: | 田中俊介 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 熊传芳;苏卉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 设置:以二维阵列状排列形成有多个像素的半导体基板;在与像素对应的位置上层叠于半导体基板的上层的滤色器层;层叠于滤色器层的上层并聚集入射到像素的光的多个微透镜;及孤立的柱状的反射壁,该反射壁在由相邻的多个所述微透镜包围而形成的间隙的每个位置立设于半导体基板与微透镜之间的中间层内,并且将从间隙入射到滤色器的光向朝向与该滤色器对应的像素的方向反射。 | ||
搜索关键词: | 摄像 元件 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种摄像元件,具备:以二维阵列状排列形成有多个像素的半导体基板;在与所述像素对应的位置层叠于该半导体基板的上层的滤色器层;层叠于该滤色器层的上层并聚集入射到所述像素的光的多个微透镜;及孤立的柱状的反射壁,在由相邻的多个所述微透镜包围而形成的间隙的每个位置立设于所述半导体基板与所述微透镜之间的中间层内,并且将从所述间隙入射到所述滤色器的光向朝向与该滤色器对应的所述像素的方向反射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的