[发明专利]半导体组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201280072192.6 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN104205313A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 苏赛贤;萧元甄;王传伟;苏孝文;陈浩洋 | 申请（专利权）人： | NEPES株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;王莹 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括精密且工序缺陷低的穿过布线的制造半导体组件的方法，本发明的一个实施例的半导体组件制造半导体组件的方法包括如下步骤：准备导电部件的步骤；去除导电部件的一部分而形成平面部和从平面部突出的突出部的步骤；配置导电部件和半导体芯片，并形成密封半导体芯片和导电部件的密封部件的步骤；使导电部件的突出部从密封部件露出而形成穿过布线的步骤；形成将穿过布线和半导体芯片电连接的再布线图案层的步骤；以及形成与再布线图案层电连接的外部连接部件的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体组件的方法，其包括如下步骤：准备导电部件的步骤；去除所述导电部件的一部分而形成平面部和从所述平面部突出的突出部的步骤；配置所述导电部件和半导体芯片，并形成密封所述半导体芯片和所述导电部件的密封部件的步骤；使所述导电部件的所述突出部从所述密封部件露出而形成穿过布线的步骤；形成将所述穿过布线和所述半导体芯片电连接的再布线图案层的步骤；以及形成与所述再布线图案层电连接的外部连接部件的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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