[发明专利]有机场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管包括第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，与第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，栅电极(6)，在栅电极(6)和本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝缘层(5)，和包含有机基质材料和有机掺杂剂的掺杂有机半导体层(4)，其中在栅极绝缘层(5)和本征有机半导体层(3)之间设置掺杂有机半导体层(4)，其中在掺杂有机半导体层(4)中形成第一和第二电极(1，2)之间的电荷载子沟道。此外，本发明涉及用于制造有机场效应晶体管的方法。

主权项

一种有机场效应晶体管，其包括：‐第一电极(1)和第二电极(2)，所述电极提供源电极和漏电极，‐与所述第一和第二电极(1，2)电接触的本征有机半导体层(3)，‐栅电极(6)，‐在所述栅电极(6)和所述本征有机半导体层(3)之间设置的栅极绝缘层(5)，和‐包含第一有机基质材料和第一有机掺杂剂的掺杂有机半导体层(4)，其中所述第一有机掺杂剂是电掺杂剂，其中在所述栅极绝缘层(5)和所述本征有机半导体层(3)之间设置所述掺杂有机半导体层(4)，其中，‐在所述掺杂有机半导体层(4)中形成所述第一和第二电极(1，2)之间的电荷载子沟道，‐以与所述第一和第二电极(1，2)的至少一个相邻的方式设置注入层(1a，2a)，和‐所述注入层(1a，2a)包含第二有机基质材料和第二掺杂剂，其中所述第二掺杂剂是电掺杂剂，并且其中所述第二掺杂剂与所述掺杂有机半导体层(4)的所述第一有机掺杂剂是相反类型。