[发明专利]半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品

摘要

一种半导体纳米晶体，其特征在于，具有在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是在25℃下的半导体纳米晶体的固态光致发光外部量子效率的至少95％。还公开了一种半导体纳米晶体，其具有至少0.5eV的多个LO光子辅助电荷热逃逸活化能。半导体纳米晶体，其能够发射在从590nm至650nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中，在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于5.5。半导体纳米晶体，其能够发射在从545nm至590nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于7。半导体纳米晶体，其能够发射在从495nm至545nm范围内的波长处具有最大峰值发射的光，其特征在于吸收光谱，其中在325nm的OD与在450nm的OD的吸收比率大于10。进一步公开了一种组合物，该组合物包含多种半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下组合物的固态光致发光效率是组合物25℃的固态光致发光效率的至少95％。一种用于制备半导体纳米晶体的方法，包括将一种或多种第一壳硫属元素化物前体和一种或多种第一壳金属前体引入到包括半导体纳米晶体核的反应混合物中，其中，第一壳硫属元素化物前体以第一壳金属前体的至少约2倍摩尔当量大的量加入，然后在至少300℃的第一反应温度下使第一壳前体反应，从而在半导体纳米晶体核上形成第一壳。公开了包括本发明的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。还公开了包括根据本发明的任何方法制备的半导体纳米晶体的群、组合物、部件和其它产品。

主权项

1.一种半导体纳米晶体，其特征在于，在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是所述半导体纳米晶体在25℃下的固态光致发光外部量子效率的至少95％，其中所述纳米晶体包括包含第一半导体材料的核以及围绕所述核的至少第一壳，其中所述第一壳包含第二半导体材料，和所述第一壳包括硫化锌，其中所述纳米晶体进一步包括围绕其外表面的第二壳且所述第二壳包含第三半导体材料，和其中所述第二壳具有比所述第一壳的带隙小的带隙。