[发明专利]具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法在审
| 申请号： | 201280072483.5 | 申请日： | 2012-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104246990A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 高田进;仓世古绘美;铃木基之 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;马妮楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，所述方法制造工序简单，且晶体衬底的表面的图形加工的微细化、晶体衬底的大径化优异。所述具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法包括工序(A)～(C)：(A)转印膜形成工序，在表面具有凹凸形状的支承体膜的具有凹凸形状的面上，以残膜厚度h为0.01～1μm的方式形成凹凸膜，所述凹凸形状的凹部的宽度w为0.05～100μm，凹部的深度d为0.05～10μm，上述凹部的深度d与上述凹部的宽度w之比d/w为1.5以下；(B)转印工序，将上述转印膜层合在晶体衬底上，然后将上述凹凸膜转印到晶体衬底上，制成带有凹凸膜的晶体衬底；(C)蚀刻工序，对上述带有凹凸膜的晶体衬底进行蚀刻，在晶体衬底的表面形成凹凸结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹凸 结构 晶体 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有凹凸结构的晶体衬底的制造方法，包括工序(A)～(C)：(A)转印膜形成工序，在表面具有凹凸形状的支承体膜的具有凹凸形状的面上，以残膜厚度h为0.01～1μm的方式形成凹凸膜，所述凹凸形状的凹部的宽度w为0.05～100μm，凹部的深度d为0.05～10μm，所述凹部的深度d与所述凹部的宽度w之比d/w为1.5以下，(B)转印工序，将所述转印膜层合在晶体衬底上，然后将所述凹凸膜转印到晶体衬底上，制成带有凹凸膜的晶体衬底，(C)蚀刻工序，对所述带有凹凸膜的晶体衬底进行蚀刻，在晶体衬底的表面形成凹凸结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社，未经东丽株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280072483.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
