[发明专利]全部在一整合蚀刻中的金属硬掩模有效
| 申请号： | 201280072908.2 | 申请日： | 2012-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104302811B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 程宇;黄举文;裴慧远;刘建刚;崔英辰;王亮 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在介电层中形成半导体触头的方法。部分通孔通过通孔掩模被蚀刻到介电层中。沟槽通过沟槽掩模被蚀刻到介电层中，其中蚀刻沟槽完成并过蚀刻通孔以拓宽通孔的底部。沟槽或通孔的顶部被整圆。 | ||
| 搜索关键词： | 全部 整合 蚀刻 中的 金属 硬掩模 | ||
【主权项】：
一种用于在介电层中形成导电触头的方法，其包括：通过通孔掩模将部分通孔蚀刻到所述介电层中；通过沟槽掩模将沟槽蚀刻到所述介电层中，其中蚀刻所述沟槽完成并过蚀刻所述通孔以拓宽所述通孔的底部；以及整圆所述沟槽或通孔的顶部，其中沟槽图案化硬掩模在所述介电层之上，且其中整平层在所述沟槽图案化硬掩模和介电层之上，以及其中通孔图案化掩模在所述整平层之上。
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