[发明专利]绝缘栅型双极晶体管有效
| 申请号： | 201280073607.1 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104350602B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 青野真司;凑忠玄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种沟槽栅极型的IGBT及其制造方法，该沟槽栅极型的IGBT兼顾耐压的保持和低导通电压化，并且进行单极动作的电流密度范围较大。本发明的IGBT是漂移层由超级结构造形成，且在背面具有IGBT区域和FWD区域的SJ－RC－IGBT，其特征在于，第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅型双极晶体管，其具有：第1导电型的缓冲层；第1漂移层，其形成在所述缓冲层的第1主面上；第1导电型的第2漂移层，其形成在所述第1漂移层上；第2导电型的基极层，其形成在所述第2漂移层上；第1导电型的发射极层，其选择性地形成在所述基极层表面；栅极电极，其从所述发射极层的表面向所述第2漂移层中贯穿，并隔着绝缘栅膜而嵌入形成；发射极电极，其与所述发射极层导通；集电极层，其形成在所述缓冲层的第2主面上；以及集电极电极，其形成在所述集电极层上，所述绝缘栅型双极晶体管的特征在于，所述第1漂移层是第1导电型的第1层和第2导电型的第2层沿水平方向重复而得到的构造，所述集电极层是第2导电型的第1集电极层和第1导电型的第2集电极层沿水平方向重复而得到的构造，所述第1漂移层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于10μm而小于50μm，所述缓冲层的杂质浓度大于或等于1×1015atms/cm3而小于2×1016atms/cm3，并且厚度大于或等于2μm而小于15μm，所述集电极层的重复间距大于或等于所述第1漂移层的重复间距的5倍而小于20000倍。
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