[发明专利]衬底-产品衬底-组合以及用于制造衬底-产品衬底-组合的设备和方法有效
| 申请号： | 201280073963.3 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104662652A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 埃里希·塔尔纳 | 申请（专利权）人： | 埃里希·塔尔纳 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱君;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过将平面衬底(2，2′)的接触侧(2o)与载体衬底(5，5′)的支撑面(5o)对准、接触和接合来制造衬底-产品衬底-组合的方法，其中，所述衬底(2，2′)在接触时具有比所述载体衬底(5，5′)的平均直径d2更大的平均直径d1。此外，本发明还涉及一种用于通过将平面衬底(2，2′)的接触侧(2o)与载体衬底(5，5′)的支撑面(5o)对准、接触和接合来制造衬底-产品衬底-组合的衬底(2，2′)，其中，所述衬底(2，2′)具有直径d1，该直径在背面减薄时可通过所述衬底(2，2′)的横截面的形状在其周缘轮廓(2u)上减小。另外，本发明还涉及一种相对应的设备和一种用于将具有平均直径d1的平面衬底(2)用于与具有平均直径d2的载体衬底(5)进行对准和接触以便对所述平面衬底(2)进行再加工的用法，其中，平均直径d1大于平均直径d2。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 产品 组合 以及 用于 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于通过将平面衬底(2，2′)的接触侧(2o)与载体衬底(5，5′)的支撑面(5o)对准、接触和接合来制造衬底‑产品衬底‑组合的方法，其中，所述衬底(2，2′)在接触时具有比所述载体衬底(5，5′)的平均直径d2更大的平均直径d1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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