[发明专利]半导体装置有效

申请号：	201280074138.5	申请日：	2012-07-19
公开（公告）号：	CN104380459B	公开（公告）日：	2017-08-25
发明（设计）人：	富田和朗	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/822	分类号：	H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/12;H01L23/522;H01L27/04
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司11219	代理人：	权太白,谢丽娜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	与钝化膜(PL)相接地形成的第1感光性有机绝缘膜(PO1)覆盖在通过最上层导电层(TCL)而产生的钝化膜(PL)表面的阶梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(ED1)。由此，能够抑制第1感光性有机绝缘膜(PO1)从钝化膜(PL)剥离。
搜索关键词：	半导体装置
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【主权项】：

一种半导体装置，具有元件形成区域和在俯视时包围所述元件形成区域的保护环区域，所述半导体装置的特征在于，具有：保护环(GR)，在最上部包含以在所述俯视时包围所述元件形成区域的周围的方式形成于所述保护环区域的保护环用最上层导电层(TCL)；钝化膜(PL)，以覆盖所述保护环用最上层导电层(TCL)的方式形成于所述保护环区域和所述元件形成区域；第1感光性有机绝缘膜(PO1)，与所述钝化膜(PL)相接地形成；以及第2感光性有机绝缘膜(PO2)，形成在所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)上，在所述钝化膜(PL)的表面，在比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠所述元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部(TRE)，而且通过所述阶梯部(TRE)，比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠内周侧的所述钝化膜(PL)的所述表面低于所述保护环用最上层导电层(TCL)正上方的所述钝化膜(PL)的所述表面，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)在俯视时覆盖在所述阶梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比所述阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(ED1)，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)的所述外周端缘(ED1)和所述第2感光性有机绝缘膜(PO2)的外周端缘(ED2)双方位于所述保护环用最上层导电层(TCL)的正上方。

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