[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201280074526.3 | 申请日: | 2012-07-05 |
公开(公告)号: | CN104412382B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 宫本昇;吉松直树 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/29;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 何立波,张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 电路图案(2)与陶瓷基板(1)的上表面接合。冷却体(3)与陶瓷基板(1)的下表面接合。IGBT(4)和FWD(5)安装在电路图案(2)上。涂覆膜(16)将陶瓷基板(1)和电路图案(2)的接合部、以及陶瓷基板(1)和冷却体(3)的接合部覆盖。模塑树脂(17)将陶瓷基板(1)、电路图案(2)、IGBT(4)、FWD(5)、冷却体(3)以及涂覆膜(16)等封装。陶瓷基板(1)与涂覆膜(16)相比热传导率高。涂覆膜(16)与模塑树脂(17)相比硬度低,缓和从模塑树脂(17)施加至陶瓷基板(1)的应力。电路图案(2)和冷却体(3)具有未被涂覆膜(16)覆盖、且与模塑树脂(17)接触的槽(18)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:绝缘基板,其具有彼此相对的第1主面以及第2主面;电路图案,其与所述绝缘基板的所述第1主面接合;冷却体,其与所述绝缘基板的所述第2主面接合;半导体元件,其安装在所述电路图案上;涂覆膜,其将所述绝缘基板和所述电路图案的接合部、以及所述绝缘基板和所述冷却体的接合部覆盖;以及树脂,其将所述绝缘基板、所述电路图案、所述半导体元件、所述冷却体以及所述涂覆膜封装,所述绝缘基板与所述涂覆膜相比热传导率高,所述涂覆膜与所述树脂相比硬度低,缓和从所述树脂施加至所述绝缘基板的应力,所述电路图案和所述冷却体中的至少一方具有不被所述涂覆膜覆盖、且与所述树脂接触的槽或者凸起。
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