[发明专利]电力变换用开关元件以及电力变换装置在审
申请号: | 201280074588.4 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN104488085A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 桥本贵之;森睦宏;增永昌弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/04;H01L29/739 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 薛凯 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 电力变换用开关元件(100)在n-型的半导体基板(1)的表面侧依次反复配置第1栅极电极(6)、具有n型发射极区域(3)的p型沟道层(2)、第2栅极电极(13)、p型浮空层(15)。并且,将夹着p型沟道层(2)的2个栅极(6、13)的间隔a构成得小于夹着p型浮空层(15)的2个栅极(13、6)的间隔b,对第1栅极电极(6)、第2栅极电极(13)分别提供在驱动定时有时间差的驱动信号。 | ||
搜索关键词: | 电力 变换 开关 元件 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种电力变换用开关元件,其特征在于,具备:第1导电型的半导体层,其形成在半导体基板;第2导电型的沟道层,其与所述第1导电型的半导体层相接,形成在所述半导体基板的第1表面侧;栅极电极的组,其由第1栅极电极以及第2栅极电极构成,该第1栅极电极以及第2栅极电极,按照隔着栅极绝缘膜与所述半导体层以及所述沟道层相接的方式,在所述半导体基板的所述第1表面侧设置在贯穿所述沟道层而形成的多个沟槽的相互相邻的每2个沟槽的各自中;第1导电型的发射极区域,其按照隔着所述栅极绝缘膜与所述第1栅极电极以及所述第2栅极电极各自相接的方式,形成在被夹在属于所述栅极电极的组的同一组的所述第1栅极电极以及所述第2栅极电极间的所述沟道层的表面的一部分;发射极电极,其将所述第1导电型的发射极区域以及所述第2导电型的沟道层电连接;第2导电型的浮空层,其被属于所述栅极电极的组的互不相同的组、且相互相邻的2个栅极电极所夹,是与所述发射极电极绝缘的所述沟道层;第2导电型的集电极层,其与所述第1导电型的半导体层相接,形成在所述半导体基板的第2表面侧;和集电极电极,其与所述第2导电型的集电极层电连接,将属于所述同一组的所述第1栅极电极与所述第2栅极电极的间隔设为a,将属于所述互不相同的组、且相互相邻的2个栅极电极彼此的间隔为b,满足b>a地配置各个栅极电极,并且,对所述第1栅极电极以及所述第2栅极电极分别提供在驱动定时有时间差的第1驱动信号以及第2驱动信号。
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