[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280074595.4 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN104428889B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 寺井护;井高志织;中木义幸;末广善幸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体基板上形成多个电力控制用半导体元件，在划分相邻的半导体元件的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖交叉区域的应力缓冲树脂层(7)，切割交叉区域而切断应力缓冲树脂层(7)来将半导体元件单片化。由此，获得在使用了SiC等化合物半导体基板的半导体元件中与密封树脂的粘接力高、不易由于动作时的热应力而引起密封树脂的裂痕、剥离的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在半导体基板形成电力控制用的多个半导体芯片；在划分相邻的所述半导体芯片的带状的切割区域相交叉的交叉区域中，形成覆盖所述半导体基板上的应力缓冲树脂层；在所述交叉区域进行切割来切断所述应力缓冲树脂层；在所述应力缓冲树脂层间的所述切割区域进行切割；在通过切割而单片化了的所述半导体芯片进行布线；以及将布线了的所述半导体芯片用热硬化性树脂进行密封，所述应力缓冲树脂层是与覆盖形成在所述半导体芯片的表面的主电极的外周部的绝缘树脂层相同材料的连续的树脂层。
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