[发明专利]SiC成型体以及SiC成型体的制造方法有效
| 申请号： | 201280075046.9 | 申请日： | 2015-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104508178A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杉原孝臣;朝仓正明;德永武士;贞木哲也 | 申请（专利权）人： | 东海炭素株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;C04B35/565;C23C16/01 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种CVD-SiC成型体，其可以适合用作在半导体制造工序中使用的蚀刻器用构件等，该成型体的光透射性低、电阻率高。提供一种SiC成型体，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子，优选的是电阻率超过10Ω·cm且为100000Ω·cm以下，波长950nm下的光透射率为0～1％。 | ||
| 搜索关键词： | sic 成型 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC成型体，其特征在于，其为利用CVD法形成的SiC成型体，其包含1～30质量ppm的硼原子、超过100质量ppm且1000质量ppm以下的氮原子。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
