[发明专利]用于晶体生长、仅诱导从硅沸石-1或沸石β晶种表面的二次生长的合成凝胶无效
| 申请号： | 201280075317.0 | 申请日： | 2012-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN104583220A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 尹景炳;范曹盛东;金铉成 | 申请（专利权）人： | 发现知识有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;B01J2/08;C07B61/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;陆惠中 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于晶体生长的合成凝胶，其仅诱导从硅沸石-1(SL)晶种表面的二次生长，不诱导合成凝胶中或晶种表面上的晶体成核作用。合成凝胶含有热解法二氧化硅、四乙基氢氧化铵(TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH和H2O，或含有原硅酸四乙酯(TEOS)、四乙基氢氧化铵(TEAOH)、氟化氢和H2O。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 诱导 硅沸石 表面 二次 生长 合成 凝胶 | ||
【主权项】：
用于晶体生长的合成凝胶，所述合成凝胶仅诱导从硅沸石‑1(SL)晶种表面的二次生长，不诱导所述合成凝胶中或所述晶种表面上的晶体成核作用，包括热解法二氧化硅、四乙基氢氧化铵(TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH和H2O。
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