[发明专利]使用半导体的光器件有效

专利信息
申请号: 201280076031.4 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN104662456B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 朴孝勋;金钟勋;赵武熙;李泰雨;韩茔铎 申请(专利权)人: 韩国科学技术院
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125;G02F1/015
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 田喜庆;吴孟秋
地址: 韩国大*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 根据使用本发明优选实施例的半导体的光器件,基于具有p‑n结结构和波导结构的半导体硅能达成光的折射或反射控制。并且,根据使用本发明半导体的光器件,通过使用反射或折射的控制能直接调制光的振幅。根据本发明优选实施例的光器件,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而可按所述第一波导或第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角。
搜索关键词: 使用 半导体 器件
【主权项】:
1.光器件,其特征在于,包括:第一波导,入射光信号,且按与入射的光信号相同的方向而形成;第二波导,从所述第一波导起形成一定角度;和反射器,根据施加的电压而变化折射率,进而能按所述第一波导或所述第二波导选择光信号的通路,且与所述第一波导形成一定角度的倾斜角,所述反射器包括:第一界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号进入;和第二界面,与所述第一波导至少一部分相接,从而使所述光信号传出,其中,所述反射器是掺杂p型或n型杂质的半导体器件,并且与所述第一波导相接的所述反射器的第一界面,由n型和p型杂质掺杂区域相接合而形成,且所述n型和所述p型杂质掺杂区域的接合部沿所述第一波导的纵向而配置,从而所述光信号入射至所述n型和所述p型杂质掺杂区域。
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