[发明专利]半导体装置及其制造装置无效
申请号: | 201280076428.3 | 申请日: | 2012-10-15 |
公开(公告)号: | CN104718623A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 黑川雄斗 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 苏萌萌;范文萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本说明书所公开的半导体装置具备:半导体基板;多个沟槽栅,其在第一方向上延伸,并且在与第一方向正交的第二方向上以隔开间隔的方式而配置。多个沟槽栅具有:第一部分,其在半导体基板的表面上开口;第二部分,其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的正方向倾斜的方向上延伸;第三部分,其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的负方向倾斜的方向上延伸。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:半导体基板;多个沟槽栅,其在第一方向上延伸,并且在与第一方向正交的第二方向上以隔开间隔的方式而配置;多个沟槽栅具有:第一部分,其在半导体基板的表面上开口;第二部分,其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的正方向倾斜的方向上延伸;第三部分,其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的负方向倾斜的方向上延伸。
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